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目前台积电的最新工艺为N3也就是3nm，曾经应用在A17处置器上，主要是增加了能耗比，而到了2025年至2027年，工艺制程就准备冲击N2也就是2nm，而这也是台积电与英特尔大打口水仗的制程，单芯片可以到达1000亿个晶体管，而整个芯片的封装最高能够到达5000亿个晶体管，曾经远超如今的芯片。为了完成如此强大的制程，台积电将会采用EUV极紫外光刻、新资料、金属氧化物ESL等工艺，以及愈加先进的封装技术。随后台积电开端学习英特尔的命名办法，将制程工艺命名为A14、A10，应该这里的A就是埃的意义，也就是0.1nm。